Ciao a tutti..vorrei sapere un'informazione riguardo un esercizio che ho letto sia capitato in un quiz un paio d mesi fa... cm faccio a dimensionare una porta complessa ad es una nand a 3 ingressi cmos in modo tale che abbia tempo d propagazione uguale a quello di un cmos simmetrico?devo ragionare come ho fatto cn il dimensionamento con tecnologia nmos?vi ringrazio..

presupponendo che per "un cmos simmetrico" intendi un invertitore simmetrico (Kn=Kp), si procede in questo modo.
Devi ricavarti l'invertitore equivalente della porta complessa (nel tuo esempio nand), considerando i percorsi con più mos in serie sia nella rete di pullup sia in quella di pulldown. Fatto questo devi imporre che l'invertitore equivalente abbia una capacità di portare corrente pari a quella dell'invertitore di riferimento, in altre parole devi imporre
Kn=Kn(equivalente)
Kp=Kp(equivalente)

dato che non faccio un esercizio simile da tempo spero di non aver detto baggianate, in ogni modo il procedimento è uguale a quello del caso di logiche a rapporto, solo che devi considerare una rete di pullup equivalente (e non un unico mos come nel caso delle logiche a rapporto)

GP

innanzitutto ti ringrazio per la velocita'della risposta..molto gentile..
quindi il fatto che debba avere un tempo di propagazione uguale a quello di un invertitore cmos simmetrico(Kp=Kn)vuol dire imporre Kneq=Kn e Kpeq=Kp e quindi che le dimensioni sono Weq=Wn e Lequ=Ln??cioe'che le dimensioni dell'invertitore equivalente coincidano cn quelle del cmos simmetrico?
seguendo questa strada avrei alla fine che la Weq=Wo/3 se tre sono i dispositivi in serie giusto?
grazie

ripeto che sto andando a memoria perchè è da un bel pezzo che non faccio questi esercizi..comunque quando dici:

quindi il fatto che debba avere un tempo di propagazione uguale a quello di un invertitore cmos simmetrico(Kp=Kn)vuol dire imporre Kneq=Kn e Kpeq=Kp

si perchè il discorso è: il Tp è proporzionale alla capacità di portare corrente dell'invertitore, la capacità di portare corrente è data dal Kn e Kp dei mos..quindi se vuoi che i due invertitori (qll di riferimento e qll equivalente) abbiano lo stesso Tp, questi devono avere la stessa capacità di portare corrente Kn=Kneq Kp=Kpeq.


e quindi che le dimensioni sono Weq=Wn e Lequ=Ln??cioe'che le dimensioni dell'invertitore equivalente coincidano cn quelle del cmos simmetrico?

piccola imprecisione: devi considerare Wneq=Wn e Lneq=Ln, e ovviamente devi considerare anche le dimensioni dei pmos Wpeq=Wp Lpeq=Lp. Tieni conto che devi sempre dimensionare rete di pullup e rete di pulldown

sie'vero..quindi alla fine cmq nn m riduco ad una disuguaglianza, direttamente affermo che Weqn=Wn e che la Wo del singolo dispositivo in serie nella rete d pull down e'pari a Weq* 3 perche'sono 3 in serie,nn devo fare nessuna diseguaglianza cm facevo per l'n mos giusto?e se mi dicesse d dimensionare la porta complessa in modo da avere lo stesso tempo di propagazione nel caso peggiore di un cmos simmetrico cm dovrei ragionare?

disuguaglianza? forse ti riferisci a quando calcoli le dimensioni dei mos in _base_ a particolari specifiche (un certo Tp o una certa Pd o, nel caso di logiche a rapporto, una certa Vol). in questo caso non ci sono disuguaglianze perchè stai imponendo che due porte (invertitore di riferimento e porta complessa) abbiano una caratteristica uguale.
e se mi dicesse d dimensionare la porta complessa in modo da avere lo stesso tempo di propagazione nel caso peggiore di un cmos simmetrico cm dovrei ragionare?

stesso Tp di un cmos simmetrico (presuppongo invertitore) nel caso peggiore...mmm...l'invertitore ha un solo Pmos e un solo Nmos..dove sta il caso peggiore?

scusa avevo interpretato io la domanda in modo errato...il caso peggiore si riferiva a quello della porta complessa e non all'invertitore ..comunque questo è un ragionamento che fai sempre; ogni volta che dimensioni una porta complessa ti metti nel caso peggiore sia per la rete di pullup che di pulldown

infatti e'questo che stavo pensando io..c mettiamo sempre nel caso peggiore individuando il max numero di dispositivi in serie.. quindi s procede cm al solito..cm immaginavo..grazie

di niente..buono studio

GP

Paolo Spirito starà piangendo nella tomba...ops...è ancora vivo (e sicuramente vi indicherà il) Paolo Spirito, Elettronica Digitale, McGrawHill, paragrafo 13.2.1 pagina 325 .

Non chiedetemi di scannerizzarle, por favor.
G