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Re:TEMPO LETTURA EEPROM (1 in linea) (1) ospiti
Appunti, Informazioni e Suggerimenti per scappottarsi l\\\'esame di Circuiti Integrati Digitali
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Discussione: Re:TEMPO LETTURA EEPROM
#892
elmachico (Utente)
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TEMPO LETTURA EEPROM 14 annos, 7 meses ago  
salve
svolgendo l'esercizio riguardante i tempi di lettura di una eeprom sul libro sn riportate le due formule da usare..xò parlando cn alcuni mi hanno detto ke nella formula del tphl al posto di M/2(righe) devo mettere M poichè ho i mos inseriti in ogni nodo....io nn devo considerare ke ho la stessa probabilità di trovare tanti 0 quanti 1 sapreste chiarirmi qst cosa??
poi nella formula del deltaV=vdd-Vol..xke si assume Vol=Vtp=Vtn??
 
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#1308
Gaddu (Amministratore)
Admin
Messaggi: 1163
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Re:TEMPO LETTURA EEPROM 14 annos, 3 meses ago  
Up!
Ho sentito anch'io questa cosa e spererei in qualche chiarimento a riguardo.

Vtp=Vtn in genere lo dà come traccia, se proprio non vuoi fare lo sforzo di considerare gli invertitori simmetrici.

G
 
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Gaddhoo ( cdp-r's adm )
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#1310
Tycos (Utente)
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Messaggi: 101
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Re:TEMPO LETTURA EEPROM 14 annos, 3 meses ago  
riguardo la questione dell'M:

M/2 -> EPROM
M -> EEPROM

PS: per verifica, pg 391 del libro, i tempi di accesso alle memorie, le EEPROM sono più lente!
 
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Ultima modifica: 09/09/2010 18:09 Da Tycos.
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#1362
Valerio08 (Utente)
Matricola
Messaggi: 2
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Re:TEMPO LETTURA EEPROM 14 annos, 3 meses ago  
No, non credo sia così. Nel caso delle EPROM (che sono quelle ad esempio uscite all'ultimo compito di luglio) devi considerare M, e nel caso delle Masked Rom devi considerare M/2.

Infatti per quanto riguarda il MOS che non conduce nelle Masked Rom è come se non ci fosse il collegamento, e quindi la capacità di gate e drain. Nel caso delle EPROM invece non conducono per gli effetti della doppia gate, ma i collegamenti (e quindi le capacità, e quindi i ritardi) ci sono.


Attendo conferme da qualcun altro, ma credo che sia così.
 
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#1535
amaral (Utente)
Ripetente
Messaggi: 72
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Re:TEMPO LETTURA EEPROM 14 annos, 2 meses ago  
chiarimenti in merito ???
nessuno ha saputo come dev'essere ???
Il libro nell'esempio applicato alle ROM (pag.380) afferma che
solo M/2 posizioni delle WordLine avranno un transistor e quindi alla bit line saranno connesse M/2 capacità di drain
Quindi credo che sia lo stesso anche per le EPROM...


Poi per quanto riguarda il calcolo di deltaV=vdd-Vol (sempre a pag.380):
xkè Vol è impostato come Vol=Vtp=Vtn invece di calcolarlo normalemente come se fosse un invertitore Pseudo-NMOS e cioè:
Vol= [(Vdd-|Vtp|)^2] / [2Kr(Vdd-Vtn)]

Inoltre noto che TUTTE le volte che negli esercizi si chiede di calcolare il tempo di lettura della EPROM, si richiede il tempo COMPLESSIVO, cioè comprensivo del blocco di decodifica dell'indirizzo (word line): come si procede per calcolare il tempo di propagazione del decoder della word line? Va sempre considerato il worse case ?

Il libro non è molto chiaro su quest'argomento e noto che questo tipo di esercizio esce molto spesso agli esami...
 
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