Mi è stato assegnato un esercizio per l'esame da fare con genius,ed è il seguente:


Si confrontino i diversi resistori diffusi realizzabili in tecnologia bipolare. Si faccia riferimento ai profili di drogaggio relativi alla seconda esercitazione sul BJT. Si determini la caratteristica IV dei diversi resistori e la resistenza di strato Rsh. Si determini il coefficiente di temperatura: [Rsh(T2)-Rsh(T1)]/Rsh(T1).

Se per favore mi date una dritta su cosa fare..grazie di cuore in aniticipo.

non so scendere nel dettaglio implementativo in genius. teoricamente non mi pare difficile. studia bene la parte relativa all'argomento, approfondisci in rete. Non credo che nessuno qui si metta a fare le tesine altrui (non per cattiveria ma per mera mancanza di tempo). prova a porre domande più specifiche.
se proprio sei in panne, vai a ricevimento dal prof., è abbastanza disponibile

il mio problema era questo..ossia quando ho realizzato il resistore a diffusione di _base_,l'ho costrutio semplicemente facendo uno strato sepolto,uno strato epitassiale e una diffusione di _base_..ho creato due contatti in questa ultima zona,ma mi accade una cosa strana,ossia se applico una tensione tra i due,all'aumentare della tensione aumenta la corrente come deve essere,ma se faccio il rapporto tra V e I,la resistenza varia a ogni step..ho pensato che è logico che aumentando la tensione a un certo punto la carateristica corrente tensione satura per via che la mobilità si riduce,ma nn ne sn certo...ke ne pensi??

mi sembra corretto quello che dici: per un primo tratto la resistenza dovrebbe essere lineare, poi satura per la riduzione della mobilità. Prova a raffinare la mesh e a fare varie simulazioni per diverse tensioni di polarizzazione e per diverse lunghezze (qst per capire se ci sono effetti di bordo rilevanti)

Ho qualche difficoltà con l'esercizio assegnatomi. Devo valutare la capacità di giunzione di un diodo diffuso p+nn+ al variare della tensione in polarizzazione diretta e inversa e intorno al breakdown. Il prof nella traccia suggerisce di adottare l'espressione Cj=epsilon/W quindi il problema si riconduce al determinare lo spessore della SCR al variare della tensione e non saprei bene come operare nella maniera più corretta in merito. Qualcuno di buon cuore ha qualche suggerimento operativo? grazie

Per valutare l'ampiezza della regione di svuotamento puoi fare così: in paraview visualizzi in scala semilogaritmica la concentrazione di drogante netta (|net_doping|+1, la devi creare tu con il calculator) e la concentrazione di elettroni e di lacune (tutto nello stesso grafico), poi prendi i punti in cui si distaccano, fai la differenza e hai la dimensione della RCS in maniera grossolana.
Oppure ricavi il valore del campo elettrico massimo Em nel punto di giunzione (dal grafico di E), prendi il valore di Vbi-V nel diagramma a bande e fai W=2*(Vbi-V)/Em.
Semmai provi i due metodi e vedi qual'è quello più preciso.
Questo mi viene in mente adesso.
Ciao ciao

Si sono andato dal professore e mi ha suggerito il primo dei 2 metodi da te proposti (una stima più precisa la si può ottenere solo come derivata della carica rispetto alla tensione ossia con un altro metodo). Grazie mille cmq per la risposta. Ciao!