Accingendomi a dare quest'esame ed essendo preso dalla solita ansia pre-appello, chiedo a chi ha già sostenuto micro se può dirmi quali sono le domande che gli sono state fatte e quelle "tipiche".
Grazie

Le mie domande furono:
- Effetto del campo elettrico orizzontale sulla mobilità nel MOSFET, con tutto il calcolo
- Quasi saturazione nel BJT, in maniera qualitativa
- Prima componente della tensione di banda piatta nel condensatore MOS,col ragionamento sul diagramma a bande

La tesina l'ha guradata e mi ha fatto solo qualche domanda di curiosità su come avevo ottenuto alcuni grafici. Il giorno del mio esame vidi chiedere anche: emettitore in silicio policristallino, circuito equivalente spice del BJT, processo CMOS (abbastanza nei dettagli), breakdown nel diodo p+nn+, calcolo dell'altra componente della V di banda piatta, giunzione _meta_llo-semiconduttore. In verità devo dirti che con le domande è piuttosto vario perchè prende il programma in mano e sceglie di volta in volta un argomento, però è veramente molto tranquillo, se ti vede in difficoltà interviene subito e ti aiuta ed è anche abbastanza generoso di voti. In bocca al lupo!

Crepi! grazie mille per le info!