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Re:Info esame con D'Alessandro (1 in linea) (1) ospiti
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Discussione: Re:Info esame con D'Alessandro
#6543
mannaggopuparuol (Utente)
Matricola
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Info esame con D'Alessandro 9 annos, 11 meses ago  
ATTENZIONE, QUESTO THREAD E' RIFERITO ALL'ESAME DI MICROELETTRONICA CHE IL PROF.D'ALESSANDRO TENNE NEL PERIODO DI TRANSIZIONE TRA IL CORSO DI RINALDI ED IL SUO, QUANDO ANCORA NON AVEVA TENUTO IL SUO CORSO. LE ATTUALI MODALITA' DI ESAME, POTREBBERO DIFFERIRE.

------------------------------------------

Buongiorno a tutti,
la mia domanda la pongo a chi in questi mesi ha sostenuto l'esame con il prof.D'Alessandro, ho saputo che l'esame è scritto con (eventuale) correzione a voce, e che il professore prende tre domande dal programma ufficiale di Rinaldi, ora vi chiedo:
- come si comporta il prof all'esame?
- ci sono delle domande più gettonate?
- qualche consiglio sul come risponderle (concise o dettagliate, discorsive o molte formule,...)?
Tutti i consigli sono ben accetti,
 
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Ultima modifica: 04/05/2016 17:24 Da Gaddu.
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#6546
p4ngm4n (Utente)
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Re:Info esame con D'Alessandro 9 annos, 11 meses ago  
L'esame lo fa sia il prof che la dott.Sasso, quindi varia un pò a seconda di chi ti capita. L'esame consiste in tre domande scritte su un foglio, per le quali si ha sufficiente tempo per rispondere. Alla fine di queste, c'è sempre una parte orale, che consiste nella verifica di quello che si è scritto più altre domande casuali (a volte attinenti a quelle sul foglio, a volte no). Il 70-80% del voto è determinato dalle risposte date sul foglio. Il prof è buono, ma puntiglioso, quindi bisogna aver studiato. Dopo un certo numero di appelli ti posso dire che è uscito di tutto, consiglio di non tralasciare nulla (anche le tecnologie).
Per quanto riguarda il modo di rispondere, ti viene detto di centrare la domanda; se ci sono formule e le ricordi conviene scriverle.
 
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#6559
Gaddu (Amministratore)
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Re:Info esame con D'Alessandro 9 annos, 11 meses ago  
Se può rassicurarti ho sentito dire che esiste una lista di una ventina di domande più gettonate (che pare, come per dispositivi, tendevano a ripresentarsi dopo un tot numero di appelli), al momento però nessuna traccia del suddetto file. Chiedo pubblicamente dunque, ai possessori di file, di condivederlo per il bene della comunità.

Aggiungo inoltre che l'orale inizia con la correzione della tesina, che da dicembre in poi viene assegnata dalla Sasso. Sarebbe interessante stilare anche una lista di queste tracce.

Gaddu
 
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Ultima modifica: 23/01/2015 14:48 Da Gaddu.
 
Gaddhoo ( cdp-r's adm )
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#6560
pelusa (Utente)
Matricola
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Re:Info esame con D'Alessandro 9 annos, 11 meses ago  
Salve ragazzi, chi di voi vorrebbe sostenere l'esame a febbraio?

Pelusa.
 
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#6591
Gaddu (Amministratore)
Admin
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Re:Info esame con D'Alessandro 9 annos, 9 meses ago  
p4ngm4n ha scritto:L'esame consiste in tre domande scritte su un foglio, per le quali si ha sufficiente tempo per rispondere....P4ngm4n, a te che domande furono chieste? Hai per caso una lista di domande poste?

Ad un amico è stato chiesto anche il diodo PIN (non trattato dal professor Rinaldi), vorrei capire se è stato un caso isolato, o c'è da integrare delle parti non trattate dal prof.Rinaldi.

Grazie anticipatamente,
Gaddu
 
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Ultima modifica: 28/02/2015 16:00 Da Gaddu.
 
Gaddhoo ( cdp-r's adm )
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#6592
p4ngm4n (Utente)
Ricercatore
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Re:Info esame con D'Alessandro 9 annos, 9 meses ago  
Emettitore in PoliSi nei BJT
Effetto Tunnel
Circuito equivalente e frequenza di taglio del Mosfet.

Come avevo scritto, nei primi appelli le domande erano poche e standard; col passare degli appelli sono diventate del tutto randomatiche e coprono praticamente tutto il programma.
Posto la mia lista, ma riguarda i primi appelli, quindi è molto incompleta.

• Tecnica epitassiale CVD.
• Legge della giunzione e quasi livelli di Fermi
• Effetto Early
• Modulazione lunghezza di canale Mosfet
• Dipendenza della mobilità dalla temperatura
• Descrizione tecnica Shallow Trench CMOS
• Capacità di giunzione e diffusione
• Corrente Mosfet in triodo e in pinchoff
• Ionizzazione da impatto
• Mobilità (dipendenza da drogaggio e campo)
• Effetti di canale corto
• Scaling Mosfet
• Tensioni di rottura BJT
• Alte iniezioni giunzione pn
• Perforazione Source Drain e CHE
• Ricavare tensione di soglia NMOS
• Legge della giunzione
• Livello di Fermi intrinseco e legge dell’azione di massa
• CMOS. Calcolo tempo di propagazione invertitore simmetrico/asimmetrico
• Tecniche di isolamento BJT
• Variazione con la T della tensione in un diodo

Compito 8
1) Correnti di triodo e saturazione del Mosfet
2) Capacità giunzione P-N
3) Shallow Trench CMOS


Non ero a conoscenza di domande fuori programma. Probabilmente quella sul diodo Pin era una domanda sulla quale avresti dovuto ragionare sui diagrammi a bande etc, con le competenze acquisite.
In ogni caso se dovesse uscire una domanda non trattata da Rinaldi, conviene farlo presente!!!
 
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#6594
Gaddu (Amministratore)
Admin
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Re:Info esame con D'Alessandro 9 annos, 9 meses ago  
Grazie mille p4ngm4n,
le tue informazioni sono davvero preziose.

Dovrò rimboccarmi le maniche ed incrociare le dita, speriamo bene.

Gaddu
 
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Gaddhoo ( cdp-r's adm )
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